特許

J-GLOBAL ID：200903020284602745

希土類バナデート単結晶およびその製造方法

発明者： 塩野 嘉幸
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-161828
公開番号（公開出願番号）：特開2002-348196
出願日： 2001年05月30日
公開日（公表日）： 2002年12月04日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 希土類バナデート(RVO4 、ここにRは希土類元素である)単結晶の製造方法を再検討し、確実に大型で着色のない品質の均一な単結晶を得て、一括切断、研磨加工することにより低コストの光デバイスの偏光素子を提供する。【解決手段】 イリジウム製ルツボ4の底に種結晶11を配置し、その上にYVO4原料を充填した後、高周波誘導コイル10に高周波電力を印加してルツボ4を加熱し、原料全体を融解する。種結晶11はルツボ4の底面を介してヘリウムガス14の吹き付けにより融解しないように保持される。密着チャンバー2内には窒素と酸素の混合ガスを雰囲気ガス15として流し、雰囲気酸素濃度が0.1〜5%となるように調整する。そしてヘリウムガス流量および高周波電力を制御しながら降温し、静かにゆっくりとルツボ一杯に結晶を成長させる。

請求項（抜粋）：

希土類バナデート(RVO4 、ここにRは希土類元素である)単結晶の製造方法において、育成炉内に設けたルツボ内の原料全体を加熱溶融した後、融液を凝固させて単結晶を育成する全体溶融凝固法により前記希土類バナデート単結晶を製造することを特徴とする希土類バナデート単結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/30 ,  C30B 11/00 ,  G02B 1/02 ,  G02B 5/30

FI (4件)：

C30B 29/30 D ,  C30B 11/00 Z ,  G02B 1/02 ,  G02B 5/30

Fターム (14件)：

2H049BA02 ,  2H049BA42 ,  2H049BC01 ,  2H049BC25 ,  4G077AA02 ,  4G077BC38 ,  4G077CD02 ,  4G077CD10 ,  4G077EA07 ,  4G077EG18 ,  4G077MB04 ,  4G077MB14 ,  4G077MB22 ,  4G077MB35