特許
J-GLOBAL ID：200903020295339680

大気圧プラズマ処理装置

発明者：
佐伯 登

佐伯 登 について

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グエン クオン キエン

グエン クオン キエン について

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石倉 康哉

石倉 康哉 について


出願人/特許権者：
パール工業株式会社

パール工業株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴江 孝一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-208160
公開番号（公開出願番号）：特開2002-018276
出願日： 2000年07月10日
公開日（公表日）： 2002年01月22日
要約：
【要約】【課題】 装置全体の小型化、多種多様な被処理物に対する適用性の拡充及び生産プロセスのインラインへの組込みの容易性だけでなく、親水化処理速度及び処理性能の著しい向上が図れるようにする。【解決手段】 中実帯板状の高圧電極1とこれに絶縁板2,2を挟んで対向配置された接地電極3との間に微小隙間からなる放電ギャップ15及び混合反応ガス噴出通路16が形成され、この放電ギャップ15及び混合反応ガス噴出通路16に混合反応ガスを大気圧もしくは大気圧近傍下で導入し、かつ、両電極1,3に高周波電圧を印加してグロー放電プラズマを発生させることで、化学的に活性な励起種を含むガス流を生成し、これを吹出口17から被処理物の表面に吹き出し照射させるように構成しているとともに、吹出口17に対向する箇所にはバイアス電圧を印加可能な補助電極21を配置している。
請求項（抜粋）：
板状の高圧電極とこの高圧電極に絶縁体を挟んで対向配置された接地電極との間に微小隙間からなる放電ギャップ及び混合反応ガス噴出部が形成されていると共に、接地電極側には、少なくともヘリウムまたは水素を含む不活性ガスと酸素またはフルオロカーボン系の含フッ素化合物ガスを含む反応性気体との混合反応ガスの供給通路が形成されており、この混合反応ガス供給通路から上記放電ギャップ及び混合反応ガス噴出部に向けて上記混合反応ガスを大気圧もしくは大気圧近傍下で導入するとともに、両電極に高周波電圧を印加して放電ギャップにグロー放電プラズマを発生させることによって、その放電プラズマにより生成される化学的に活性な励起種を含むガス流を上記混合反応ガス噴出部の吹出口から被処理物の表面に吹き出し照射させるように構成している大気圧プラズマ処理装置において、上記混合反応ガス噴出部の吹出口に対向する箇所に補助電極を配置し、この補助電極に直流もしくは高周波のバイアス電圧を印加可能に構成していることを特徴とする大気圧プラズマ処理装置。
IPC (7件)：
B01J 19/08 ,  B08B 7/00 ,  C08J 7/00 CER ,  C08J 7/00 306 ,  H01L 21/304 645 ,  H05H 1/24 ,  C08L101:00
FI (7件)：
B01J 19/08 H ,  B08B 7/00 ,  C08J 7/00 CER ,  C08J 7/00 306 ,  H01L 21/304 645 C ,  H05H 1/24 ,  C08L101:00
Fターム (29件)：
3B116AA02 ,  3B116AA46 ,  3B116AB14 ,  3B116BB24 ,  3B116BB88 ,  4F073AA01 ,  4F073BA06 ,  4F073BA07 ,  4F073BA08 ,  4F073BA16 ,  4F073CA01 ,  4F073CA07 ,  4G075AA24 ,  4G075BA05 ,  4G075BA10 ,  4G075BC10 ,  4G075CA03 ,  4G075CA15 ,  4G075CA25 ,  4G075CA47 ,  4G075CA62 ,  4G075CA63 ,  4G075DA02 ,  4G075EB31 ,  4G075EB41 ,  4G075EC21 ,  4G075ED11 ,  4G075FA20 ,  4G075FC15
引用特許：
審査官引用 (4件)
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