特許

J-GLOBAL ID：200903020297466735

多層電子部品の製造方法

発明者： ウィンベルヘル フリーデル レインホルト ,  クーツ ペーター ポール ,  デ ブロイン ヨハン ヘリット
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-523569
公開番号（公開出願番号）：特表2001-508018
出願日： 1998年10月12日
公開日（公表日）： 2001年06月19日
要約：

【要約】導電層と絶縁層とを交互配置で積重ねて多層構造体としたセラミック多層部品を製造方法するに当り: 1)各々が結合剤及び粒状充填剤を有する3種類の押出し成形可能な高分子混合物を得る工程であって、この工程により(a)第1混合物が、セラミック充填剤を有し、(b)第2混合物が、金属充填剤及び第1結合剤を有し、(c)第3混合物が、金属充填剤及び第2結合剤を有するようにする工程と、; 2)層増倍素子を具えた押出し溝を有する押出し成形装置を用い、複数の基本ユニットabacを有する押出し成形多層積層体を製造する工程であって、これらの基本ユニットにおいて層(a、b、c)は、それぞれ第1、第2及び第3混合物に相当し、前記積層体は、互いに対向して位置する2つの側壁(1、2)を有し、これら側壁に沿って各層の一部が露出するようにする当該工程と、; 3)第1溶剤を用いて、多層積層体の第1側壁(1)に沿って露出する、各層(b)の部分を溶解除去する工程であって、この工程によって第1側壁(1)に沿って開口溝(5)を形成する当該工程と、; 4)第2溶剤を用いて、多層積層体の第2側壁(3)に沿って露出する、各層(c)の部分を溶解除去する工程であって、この工程によって第2側壁(3)に沿って開口溝(7)を形成する当該工程と、; 5)多層積層体を加熱し且つ焼結する工程と、; 6)双方の側壁(1、3)に沿って電気接点層(9、11)を設け、これら電気接点層を各側壁における露出層に接触させる工程とを行なうセラミック多層部品の製造方法。

請求項（抜粋）：

1.導電層と絶縁層とを交互配置で積重ねて多層構造体としたセラミック多層部 品の製造方法において、 1)各々が結合剤及び粒状充填剤を有する3種類の押出し成形可能な高分子混 合物を得る工程であって、この工程により (a)第1混合物が、セラミック充填剤を有し、 (b)第2混合物が、金属充填剤及び第1結合剤を有し、 (c)第3混合物が、金属充填剤及び第2結合剤を有する ようにする工程と、 2)層増倍素子を具えた押出し溝を有する押出し成形装置を用い、複数の基本 ユニットabacを有する押出し成形多層積層体を製造する工程であって、こ れらの基本ユニットにおいて層a、b、cは、それぞれ第1、第2及び第3混 合物に相当し、前記積層体は、互いに対向して位置する2つの側壁を有し、こ れら側壁に沿って各層の一部が露出するようにする当該工程と、 3)第1溶剤を用いて、多層積層体の第1側壁に沿って露出する、各層bの部 分を溶解除去する工程であって、この工程によって第1側壁に沿って開口溝を 形成する当該工程と、 4)第2溶剤を用いて、多層積層体の第2側壁に沿って露出する、各層cの部 分を溶解除去する工程であって、この工程によって第2側壁に沿って開口溝を 形成する当該工程と、 5)多層積層体を加熱し且つ焼結する工程と、 6)双方の側壁に沿って電気接点層を設け、これら電気接点層を各側壁におけ る露出層に接触させる工程と を有することを特徴とするセラミック多層部品の製造方法。

IPC (4件)：

C04B 35/622 ,  B29C 47/06 ,  H01G 4/30 311 ,  H01L 41/24

FI (4件)：

C04B 35/00 E ,  B29C 47/06 ,  H01G 4/30 311 Z ,  H01L 41/22 A