特許
J-GLOBAL ID：200903020300383633
半導体装置の熱処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-224394
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077221
出願日： 1992年08月24日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 ヒロック等の不良発生モードを金属配線に形成することなく絶縁膜の被覆することができる半導体装置の熱処理方法を提供する。【構成】 金属配線を形成した半導体基板に絶縁膜を被覆する半導体装置の熱処理方法において、100°C以下の低温部に載置された半導体基板を前記金属配線の金属の融点より高くない融点近傍の高温温度まで、前記金属配線に不良発生モードが形成されないほどに速い昇温速度で昇温する工程(ST1)と、次に前記高温温度で前記金属配線に粒界を形成する工程(ST2)と、次に前記金属配線の他との反応が進行しないほどに速い降温速度で前記半導体基板を降温して絶縁膜を被覆する工程(ST3)とを備えることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
金属配線を形成した半導体基板に絶縁膜を被覆する半導体装置の熱処理方法において、100°C以下の低温部に載置された半導体基板を前記金属配線の金属の融点より高くない融点近傍の高温温度まで、前記金属配線に不良発生モードが形成されないほどに速い昇温速度で昇温する工程と、次に前記高温温度で前記金属配線に粒界を形成する工程と、次に前記金属配線の他との反応が進行しないほどに速い降温速度で前記半導体基板を降温して絶縁膜を被覆する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の熱処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/205
, H01L 21/324
