半導体集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内原晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-152684
公開番号（公開出願番号）：特開平5-019025
出願日： 1991年06月25日
公開日（公表日）： 1993年01月26日
要約：

【要約】【目的】半導体チップ内の内部降圧された電圧を、半導体チップをパッケージ内に封入した後でも測定できるようにする。【構成】所定のタイミングで活性化し、外部からの比較基準信号CVRの電圧と内部降圧された内部基準信号Vrefの電圧とを比較し比較結果信号CRを出力する比較回路1を設ける。比較結果信号CRを所定のタイミングでラッチするデータラッチ回路2を設ける。データラッチ回路2の出力データを所定のタイミングで外部へ出力するように既存の回路を変更したデータ出力回路3を設ける。比較基準信号CVRの電圧を順次変えて比較結果信号CRのレベルの変化する点を出力データDTで検知し、このときの比較基準信号CVRの電圧から内部基準信号Vrefの電圧を求める。

請求項（抜粋）：

内部制御信号に従って活性化し内部で発生した電圧が外部からの比較基準信号の電圧より低いか高いかで第1のレベル,第2のレベルとなる比較結果信号を出力する比較回路と、前記比較結果信号を前記内部制御信号に従って所定のタイミングでラッチし出力するデータラッチ回路と、このデータラッチ回路の出力データを前記内部制御信号に従って所定のタイミングで外部へ出力するデータ出力回路と、外部からの複数の制御信号を基にして前記内部制御信号を発生する制御回路とを有することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (5件)：

G01R 31/28 , G06F 11/22 310 , G06F 11/22 330 , G11C 11/419 , G11C 29/00 303

FI (2件)：

G01R 31/28 V , G11C 11/34 311

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭60-144667
特開平2-151059
特開昭63-154976

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