特許

J-GLOBAL ID：200903020310399163

C-MOSレベルシフタ

発明者： 岩松 誠一
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-222498
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078885
出願日： 1993年09月07日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】【目的】簡潔にレベルシフトができ、集積度の低下も少なく、消費電力の大幅な増大も無いC-MOSレベルシフタ回路と構造を提供する。【構成】C-MOSレベルシフタに関し、(1)C-MOS集積回路のNウェルおよびPウェルに部分的にバックゲート電圧を直流電圧またはパルス電圧で印加すること、および、(2)C-MOS集積回路のNウェルおよびPウェルを基板と分離されて形成すること、などである。Pウェルには負のバックゲート電圧VBG1をNウェルには正のバックゲート電圧VBG2をクロック電圧CLK1およびCLK2により印加するか、あるいは直流電圧を印加することにより、このC-MOSインバータのNチャネルMOSFETおよびPチャネルMOSFETのしきい電圧を正または負の方向に大きくすることができ、C-MOS集積回路の中の一部分の動作電圧を上げることができる。

請求項（抜粋）：

C-MOS集積回路のNウェルおよびPウェルに部分的にバックゲート電圧を直流電圧またはパルス電圧で印加することを特徴とするC-MOSレベルシフタ。

IPC (3件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H03K 19/0185

FI (2件)：

H01L 27/08 321 D ,  H03K 19/00 101 D