特許

J-GLOBAL ID：200903020316733600

プラズマCVD装置

発明者： 縄田 芳一 ,  山内 康弘 ,  青井 辰史 ,  笹川 英四郎 ,  小川 和彦
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-266917
公開番号（公開出願番号）：特開2001-089863
出願日： 1999年09月21日
公開日（公表日）： 2001年04月03日
要約：

【要約】【課題】 製膜プロセスの再現性および均一性を高めることができるプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】 反応性ガスが導入される製膜ユニットと、この製膜ユニット内で基板を保持し加熱するヒータユニットと、このヒータユニットに保持された基板と対面配置される電極と、この電極と基板との間にプラズマを生成させるために電極に高周波を給電する高周波電源と、プラズマ生成中の前記ヒータユニットから前記製膜ユニットまでのインピーダンスを低減させる低抵抗部材と、を具備する。

請求項（抜粋）：

生成プラズマにより反応性ガスを分解反応させて基板上に製膜する間に基板を加熱するプラズマCVD装置において、反応性ガスが導入される製膜ユニットと、この製膜ユニット内で基板を保持し加熱するヒータユニットと、このヒータユニットに保持された基板と対面配置される電極と、この電極と基板との間にプラズマを生成させるために電極に高周波を給電する高周波電源と、プラズマ生成中の前記ヒータユニットから前記製膜ユニットまでのインピーダンスを低減させる低抵抗部材と、を具備することを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (4件)：

C23C 16/505 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

C23C 16/505 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 L ,  H01L 31/04 V

Fターム (25件)：

4K030AA06 ,  4K030BA30 ,  4K030CA06 ,  4K030FA03 ,  4K030FA10 ,  4K030KA14 ,  4K030KA23 ,  4K030KA45 ,  4K030KA46 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AE19 ,  5F045AF07 ,  5F045BB02 ,  5F045CA13 ,  5F045EH04 ,  5F045EH12 ,  5F045EH19 ,  5F045EK07 ,  5F045EK08 ,  5F051BA14 ,  5F051CA16 ,  5F051CA23 ,  5F051CA24