特許
J-GLOBAL ID：200903020322791620
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-114989
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321412
出願日： 1994年05月27日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子をインジウムはんだを用いて実装基板上に接続するII-VI族化合物半導体レーザ等の半導体装置の構造に関し、インジウム半田の可塑性を維持して昇温時に熱膨張率の差により基板から半導体素子の活性層に応力歪みが及ぼされのを防止する。【構成】 半導体素子1をインジウムはんだ7を用いて実装基板2上に接続してなる半導体装置において、はんだ接続に用いられる半導体素子1の基板接続用電極6が、最下層に、該半導体素子1にオーミックに接続するコンタクト金属層3を有し最上層にインジウムはんだ7と融合し易い金属によるボンディング金属層5を有し、且つコンタクト金属層3とボンディング金属層5との間にはんだ着け温度において該コンタクト金属及びボンディング金属の何れとも融合反応を起こさないバリア金属層4が挿入された構造を有する。
請求項（抜粋）：
半導体素子(1) をインジウムはんだ(7) を用いて実装基板(2) 上にはんだ着け接続してなる半導体装置において、該はんだ着け接続に用いられる該半導体素子(1) の基板接続用電極(6) が、最下層に該半導体素子(1) にオーミックに接続するコンタクト金属層(3) を有し最上層にインジウムはんだ(7)と融合し易い金属からなるボンディング金属層(5)を有し、且つ該コンタクト金属層(3) とボンディング金属層(5) との間に該インジウムはんだ(7) によるはんだ着け温度において該コンタクト金属及び該ボンディング金属の何れとも融合反応を起こさないバリア金属層(4) が挿入された構造を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 21/52
, H01L 33/00
