半導体集積回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-075913
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021443
出願日： 1993年04月01日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】動作モード時にはトランジスタを低しきい値電圧として高速動作を確保し、スタンバイモード時にはトランジスタのしきい値電圧を高め誤動作,データ保持不良の発生を防止すると共に、消費電力を節減する。【構成】N型の基板(又はウェル)に形成された複数のトランジスタQ1〜Qnを含み動作モード時に所定の信号処理動作を行う内部回路1を設ける。スタンバイモードを検出してアクティブレベルのスタンバイ検出信号SDを発生するスタンバイ検出回路2を設ける。トランジスタQ1〜Qnの基板(ウェル)SBからソース電極(SS)への順方向のバイアス電位Vbを発生するバイアス電位発生回路3を設ける。スタンバイ検出信号SDのアクティブレベルに応答してソース電極の電位Vssを、インアクティブレベルに応答してバイアス電位Vbを基板(ウェル)SBに供給する切換回路4を設ける。

請求項（抜粋）：

所定の導電型の半導体基板(又はウェル)に形成された複数のトランジスタを含み動作モードの期間に所定の信号処理動作を行う内部回路と、前記動作モードでないスタンバイモードを検出してアクティブレベルのスタンバイ検出信号を発生するスタンバイ検出手段と、前記半導体基板(ウェル)から前記トランジスタのソース領域へのバイアスがこれら半導体基板(ウェル)・ソース電極間の接合部に対して順方向となる所定の大きさのバイアス電位を発生する手段と、前記スタンバイ検出信号のアクティブレベルに応答して前記トランジスタのソース領域の電位を、インアクティブレベルに応答して前記バイアス電位を前記半導体基板(ウェル)にそれぞれ供給する切換手段とを有することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 29/784 , H01L 27/04 , H01L 27/092

FI (2件)：

H01L 29/78 301 J , H01L 27/08 321 D

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-082151
特公昭58-054227
特開昭53-121563

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