特許

J-GLOBAL ID：200903020329935384

半導体プロセス評価装置

発明者： 和島 峰生
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-343416
公開番号（公開出願番号）：特開2001-159641
出願日： 1999年12月02日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：

【要約】【課題】所望の電流密度で正確なデバイス評価が可能な半導体プロセス評価装置を提供すること。【解決手段】ウエハにプローブ針を当てて通電試験を行なう半導体プロセス評価装置において、前記プローブ針に放熱板を形成し、且つ前記放熱板は一部が削り取られて上面より前記プローブ針の針先が目視できるように構成し、しかも前記放熱板はその形状が放射状であり、且つ1枚若しくは複数枚の金属若しくは放熱性の良い材料によって構成したことにある。

請求項（抜粋）：

ウエハにプローブ針を当てて通電試験を行なう半導体プロセス評価装置において、前記プローブ針に放熱板を形成して成ることを特徴とする半導体プロセス評価装置。

IPC (2件)：

G01R 1/067 ,  H01L 21/66

FI (2件)：

G01R 1/067 G ,  H01L 21/66 B

Fターム (15件)：

2G011AA02 ,  2G011AA12 ,  2G011AB00 ,  2G011AD01 ,  4M106AA01 ,  4M106AB01 ,  4M106AB06 ,  4M106AB09 ,  4M106AB10 ,  4M106BA01 ,  4M106CA01 ,  4M106CA17 ,  4M106DD03 ,  4M106DD18 ,  4M106DD22