特許

J-GLOBAL ID：200903020333868730

窒化物半導体単結晶層の成長方法

発明者： 中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-022085
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216409
出願日： 1993年01月14日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】 窒化物半導体を利用した発光素子をダブルヘテロ構造とするため、基板上にまず結晶性に優れた四元混晶のInAlGaN単結晶層を成長する方法を提供する。【構成】 気相成長法により、基板上に一般式In<SB>X</SB>Al<SB>Y</SB>Ga<SB>1-X-Y</SB>N(但し、X<0<1、Y<0<1)で表される窒化物半導体単結晶層を成長させる方法であって、前記基板に、サファイアの上にGa<SB>Z</SB>Al<SB>1-Z</SB>N(0≦Z≦1)よりなるバッファ層と、該バッファ層の上にGaNよりなる単結晶層とを形成した基板を使用し、該GaN単結晶層の上に前記窒化物半導体単結晶層を成長させる。

請求項（抜粋）：

気相成長法により、基板上に一般式In<SB>X</SB>Al<SB>Y</SB>Ga<SB>1-X-Y</SB>N(但し、X<0<1、Y<0<1)で表される窒化物半導体単結晶層を成長させる方法であって、前記基板に、サファイアの上にGa<SB>Z</SB>Al<SB>1-Z</SB>N(0≦Z≦1)よりなるバッファ層と、該バッファ層の上にGaNよりなる単結晶層とを形成した基板を使用し、該GaN単結晶層の上に前記窒化物半導体単結晶層を成長させることを特徴とする窒化物半導体単結晶層の成長方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-297023
  
• 特開昭62-119940
  
• 特開平3-003233