特許

J-GLOBAL ID：200903020334675480

化合物半導体装置の保護膜の形成方法

発明者： 浅井 周二
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 平田 忠雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-040368
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218011
出願日： 1992年01月30日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 化合物半導体装置の低周波における電気的特性を改善する。【構成】 化合物半導体装置を構成する化合物半導体基板を100°C以上300°C以下の温度範囲に保ちながら前記化合物半導体基板の表面をプラズマ状態のアンモニアに曝した後、前記化合物半導体基板の表面にプラズマ気相成長法により保護膜を成長するようにした。前記化合物半導体基板は、GaAs、InGaAs、AlGaAs等からなり、前記保護膜は、SiNX 、SiO2 、AlNX 、AlOX (但しXは整数)等からなる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体装置を構成する化合物半導体基板を100°C以上300°C以下の温度範囲に保ちながら前記化合物半導体基板の表面をプラズマ状態のアンモニアに曝した後、前記化合物半導体基板の表面にプラズマ気相成長法により保護膜を成長することを特徴とする化合物半導体装置の保護膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812