特許

J-GLOBAL ID：200903020340370852

強誘電体薄膜及びその製造方法

発明者： 友澤 淳 ,  藤井 覚 ,  藤井 映志 ,  高山 良一 ,  小舟 正文 ,  藤井 知
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-283465
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211135
出願日： 1994年11月17日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】Laを添加したチタン酸鉛に、酸素原子と6配位の結合をするMg及びMnから選ばれる少なくとも一つの元素を添加して強誘電体薄膜に形成したことにより、薄膜形成の際に高いc軸配向性が付与され、かつバルク結晶のように分極処理をする必要がない強誘電体薄膜を提供する。【構成】あらかじめ下地白金電極をスパッタリング法により形成したMgO単結晶板9を基板加熱ヒーター10上に設置する。チャンバー7内を排気し、基板加熱ヒーター10によって基板9を加熱し、スパッタガスであるArとO2 をノズル14よりチャンバー7内に導入し、高真空度に保つ。ターゲット1に高周波電源8より高周波電力を投入しプラズマを発生させ、基板9上に成膜を行う。例えば[(1-x)・Pb1-y Lay Ti1-y/4 O3 +x・MgO]なる組成(x=0.01〜0.10,y=0.05〜0.25)の強誘電体薄膜を作製する。

請求項（抜粋）：

Laを添加したチタン酸鉛に、酸素原子と6配位の結合をするMg及びMnから選ばれる少なくとも一つの元素を添加して薄膜に形成したことを特徴とする強誘電体薄膜。

IPC (7件)：

H01B 3/00 ,  C01G 23/00 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/32 ,  H01B 3/12 319 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/24

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-285609
  
• 特開平3-245406
  
• 特開昭59-138004
  
• 特開平1-272931