特許

J-GLOBAL ID：200903020342381991

固体撮像素子及びその製造方法

発明者： 笘 哲夫
出願人/特許権者： 富士フイルムマイクロデバイス株式会社 ,  富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-288731
公開番号（公開出願番号）：特開2001-111029
出願日： 1999年10月08日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】 狭チャネル効果による垂直電荷転送効率の劣化を防ぐことができる固体撮像装置、及びそのような固体撮像素子を製造する製造方法を提供すること。【解決手段】 垂直電荷転送路205は、その両側が素子分離領域202で画定される部分(領域A)と、その片側のみが前記素子分離領域202で画定される部分(領域B)とを含み、前記両側を画定する前記素子分離領域202aの不純物濃度は、該両側が画定される部分の前記垂直電荷転送路205における狭チャネル効果が低減される程度に前記片側のみを画定する前記素子分離領域202bの不純物濃度よりも低いことを特徴とする

請求項（抜粋）：

半導体基板と、列方向及び行方向にそれぞれ所定の配列間隔で前記半導体基板上に形成される複数の光電変換素子と、第1の導電型半導体層を含み、前記複数の光電変換素子の間を縫うように蛇行し、概略列方向に延びるようにして前記半導体基板上に行方向に複数形成される素子分離領域と、第2の導電型半導体層を含み、行方向に隣接する前記素子分離領域間に形成され、前記複数の光電変換素子の間を縫うように蛇行し、概略列方向に延びるようにして前記半導体基板上に行方向に複数形成される垂直電荷転送路とを備えた固体撮像素子において、前記垂直電荷転送路は、その両側が前記素子分離領域で画定される部分と、その片側のみが前記素子分離領域で画定される部分とを含み、前記両側を画定する前記素子分離領域の不純物濃度は、該両側が画定される部分の前記垂直電荷転送路における狭チャネル効果が低減される程度に前記片側のみを画定する前記素子分離領域の不純物濃度よりも低いことを特徴とする固体撮像素子。

IPC (4件)：

H01L 27/148 ,  H01L 31/10 ,  H04N 1/028 ,  H04N 5/335

FI (5件)：

H04N 1/028 Z ,  H04N 5/335 U ,  H04N 5/335 F ,  H01L 27/14 B ,  H01L 31/10 A

Fターム (30件)：

4M118AA03 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118CA03 ,  4M118DA03 ,  4M118DA13 ,  4M118EA16 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35 ,  5C024CA16 ,  5C024CA31 ,  5C024GA14 ,  5C051AA01 ,  5C051BA02 ,  5C051DA06 ,  5C051DB01 ,  5C051DB04 ,  5C051DB18 ,  5C051DC02 ,  5C051DC07 ,  5F049MA02 ,  5F049NA08 ,  5F049NA17 ,  5F049NB05 ,  5F049PA15 ,  5F049RA02 ,  5F049RA08 ,  5F049SS02

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭64-050463
  
• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-271354   出願人：ソニー株式会社
• 特開平2-174162
  
• 特開昭63-110668
  
• 特開昭62-039058