半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-221817
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172173
出願日： 1995年08月30日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：

【要約】【課題】平滑な面を有するド-プトシリコン薄膜を形成する。【解決手段】トレンチ97の表面に形成された誘電体薄膜102と、誘電体薄膜に形成された第1のアモルファスシリコン薄膜104と、ド-パント薄膜106と、第2のアモルファスシリコン薄膜110と、及びド-パント薄膜と第1及び第2のアモルファスシリコン薄膜の一方との間に形成されたキャッピング薄膜108とを有する。ド-パント薄膜106は第1及び第2のアモルファスシリコン薄膜104、110の他方とキャッピング薄膜108との間に形成される。キャッピング薄膜108はシリコン酸化膜とシリコン窒化膜のうちの一方から形成される。

請求項（抜粋）：

表面に誘電体薄膜が形成されたトレンチに薄膜構造体を形成する半導体装置の製造方法であって、前記誘電体薄膜上に第1のアモルファスシリコン薄膜を形成する工程と、ド-パント薄膜を形成する工程と、第2のアモルファスシリコン薄膜を形成する工程と、前記ド-パント薄膜と、第1及び第2のアモルファスシリコン薄膜の一方との間にキャッピング薄膜を形成し、しかも前記ド-パント薄膜を第1及び第2のアモルファスシリコン薄膜の他方と前記キャッピング薄膜との間に形成する工程とを具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 625 A , H01L 27/04 C

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