特許

J-GLOBAL ID：200903020346354220

電気的重ね書き可能な固定値メモリおよび記憶内容変更方法

発明者： ゲオルク ラング
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-072540
公開番号（公開出願番号）：特開平5-197541
出願日： 1992年02月21日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【目的】 電気的重ね書き可能な固定値メモリの初期化ルーチンの更新を迅速、簡単、安価かつ確実に、またユーザーによっても実行され得るようにする。【構成】 電気的重ね書き可能な固定値メモリ6が、少なくとも2つの別々に書込みおよび読出し可能、場合によってはまた別々に消去可能なメモリ範囲B0、B1を有し、これらのメモリ範囲にメモリセルが対応付けられている固定値メモリにおいて、メモリセルが同一のアドレス0...212 -1を有し、その際に1つの状態量Sに関係してメモリ範囲B0、B1の1つB0のメモリセルに読出しのためにのみアクセスされ得る。

請求項（抜粋）：

電気的重ね書き可能な固定値メモリ(6)、特にまとめられて迅速に消去可能な固定値メモリ(6)であって、複数のメモリセルを有し、その際に各メモリセルがアドレスを有し、このアドレスに基づいてメモリセルが個々に書込みおよび読出し可能であり、またアドレス信号(A16...A0)、データ信号(D7...D0)および制御信号(WR、CS、GND、VCC、VPP、invert、select、Vboot、CLB 、CLM )に対する導線の接続のための接触部を有し、その際に固定値メモリ(6)が少なくとも2つの別々に書込みおよび読出し可能、場合によってはまた別々に消去可能なメモリ範囲(B0、B1)を有し、これらのメモリ範囲にメモリセルが対応付けられている固定値メモリにおいて、メモリセルが同一のアドレス(0...212-1)を有し、その際に状態量(S)に関係してメモリ範囲(B0、B1)の1つ(B0)のメモリセルに読出しのためにのみアクセスされ得ることを特徴とする電気的重ね書き可能な固定値メモリ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-115253
  
• 特開平2-187843
  
• 特開平1-322050
  
• 特開平2-230447