特許

J-GLOBAL ID：200903020350788537

無機シラザンベース絶縁膜を形成する方法

発明者： 深澤 篤毅 ,  松木 信雄 ,  河 正石
出願人/特許権者： 日本エー・エス・エム株式会社
代理人 (3件)： 堀 明▲ひこ▼ ,  小島 浩紀 ,  井上 克己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-137995
公開番号（公開出願番号）：特開2008-306182
出願日： 2008年05月27日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：

【課題】埋め込み特性に優れ、かつ、膜の破壊及び剥離を防止する絶縁膜を形成する方法を与える。【解決手段】無機シラザンベース絶縁膜を形成する方法が与えられる。当該方法は、Si及びHから構成されるガス並びにN及びHから選択的に構成されるガスを被処理体が配置される反応チャンバ内に導入する工程と、被処理体の温度を-50°Cから50°Cに制御する工程と、無機シラザン結合を含むSi、N及びHにより構成される膜をプラズマ反応により堆積する工程を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁膜を形成する方法であって、 Si及びHから構成される第1のガスを被処理体が配置された反応チャンバ内に導入する工程と、 N及びHから選択的に構成される第2のガスを被処理体が配置された反応チャンバ内に導入する工程と、 前記被処理体の温度を-50°Cから50°Cの温度に制御する工程と、 無機シラザン結合を含むSi、N及びHにより構成された無機シラザンベース膜をプラズマ反応により前記被処理体上に堆積する工程と、 を備えたことを特徴とする方法。

IPC (6件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/509 ,  C23C 16/56

FI (5件)：

H01L21/318 B ,  H01L21/90 K ,  C23C16/42 ,  C23C16/509 ,  C23C16/56

Fターム (37件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030FA03 ,  4K030JA10 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F033HH08 ,  5F033HH19 ,  5F033HH28 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ81 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS15 ,  5F033WW03 ,  5F058BC08 ,  5F058BC10 ,  5F058BD10 ,  5F058BD13 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF26 ,  5F058BF30 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04 ,  5F058BH17 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ03