シリコン誘導体上でイオン化脱離を実施する方法、構成および装備

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：川口義雄 , 小野誠 , 金山賢教 , 大崎勝真 , 坪倉道明
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-515222
公開番号（公開出願番号）：特表2007-526446
出願日： 2004年06月04日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：

本発明の実施形態は、多孔質シリコン上でイオン化脱離を実施するための基板、このようなイオン化脱離を実施するための方法およびこれらの基板の製造方法を対象とする。シリコン上でイオン化脱離を実施するための基板を対象とする一実施形態は、式(I);または式(II)の式を有する表面を有する基板を含む。上の式で、XはHもしくはYであり、Xの少なくとも25モルパーセントはYであり、Yは、ヒドロキシルまたは-O-R1またはO-SiR1,R2,R3であり、R1、R2およびR3は、C1からC25の線状、環状または分岐状のアルキル、アリールまたはアルコキシ基、ヒドロキシル基またはシロキサン基からなる群から選択され、R1、R2およびR3の基は、置換されていないか、または1つまたはそれ以上の基(例えば、ハロゲン、シアノ、アミノ、ジオール、ニトロ、エーテル、カルボニル、エポキシド、スルホニル、陽イオン交換体、陰イオン交換体、カルバメート、アミド、尿素、ペプチド、タンパク質、炭水化物、および核酸官能基)で置換されている。

請求項（抜粋）：

次の式をもつ基板を含むシリコン上で、イオン化脱離を実施するための基板。

IPC (1件)：

G01N 27/62

FI (2件)：

G01N27/62 V , G01N27/62 F

Fターム (5件)：

2G041DA03 , 2G041EA03 , 2G041GA06 , 2G041GA16 , 2G041JA06

引用特許：

審査官引用 (2件)

特許第6288390号
特許第6541367号

引用文献：

審査官引用 (3件)

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