特許
J-GLOBAL ID：200903020362537351
力学量センサ
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-323876
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162645
出願日： 1994年11月30日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【目的】 pn接合ダイオードを構成する半導体層により感歪部がアイソレーションされることにより、素子分離プロセスを必要とせず、簡単に製造することがきる。【構成】 シリコン基板1に形成された薄肉状のダイアフラム部3と、このダイアフラム部3に半導体層8cにより形成されてダイアフラム部3の歪状態に応じて抵抗値が変化する正の抵抗温度係数を有するゲージ抵抗4aと、ダイアフラム部3に半導体層8a,8b,9a,9bにより形成された負の抵抗温度係数を有するpn接合ダイオード6a,6bと、シリコン基板1の表面に形成された絶縁膜7上に形成されてゲージ抵抗4aとpn接合ダイオード6a,6bとを接続する配線用導体11とを有し、pn接合ダイオード6a,6bの半導体層8a,8bによりダイアフラム部3がアイソレーションされている。
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成された薄肉状の感歪部と、この感歪部に半導体層により形成されて前記感歪部の歪状態に応じて抵抗値が変化する正の抵抗温度係数を有するゲージ抵抗と、前記感歪部に半導体層により形成された負の抵抗温度係数を有するpn接合ダイオードと、前記半導体基板の表面に形成された絶縁膜上に形成されて前記ゲージ抵抗と前記pn接合ダイオードとを接続する配線用導体と、を有し、前記pn接合ダイオードの前記半導体層又はこの半導体層と同一の半導体層により前記感歪部がアイソレーションされていることを特徴とする力学量センサ。
IPC (4件)：
H01L 29/84
, G01L 1/18
, G01L 9/04 101
, G01P 15/12
