特許
J-GLOBAL ID：200903020364486053
セラミック多層基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-242915
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097656
出願日： 1992年09月11日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】 表層電極と内層電極との間等の接続不良がなく、高密度配線ができるセラミック多層基板の製造方法を提供する。【構成】 低温焼成基板材料を主成分とする第1のグリーンシート1を内層に、これよりも焼結温度が高い無機組成物を主成分とする第2のグリーンシート2を表層に配した積層体に、第1の焼成およびこれよりも焼成温度の高い第2の焼成を施すことにより、第1の焼成時には内層が未焼結の表層に、第2の焼成時には表層が焼結済の内層にそれぞれ拘束されながら焼結されるために積層面に平行な方向には焼結に伴う収縮が発生しない。したがって電極3の位置ずれが起こらないために接続不良が発生せず、また収縮率のばらつきを見込んで電極3の面積を大きくする必要がないために高密度配線ができる。
請求項（抜粋）：
ガラスおよびセラミックスの複合組成物からなる低温焼成基板材料を主成分とする第1のグリーンシートを作製する工程と、前記低温焼成基板材料よりも高い焼結温度を有する無機組成物からなる基板材料を主成分とする第2のグリーンシートを作製する工程と、前記第1のグリーンシートおよび前記第2のグリーンシートにそれぞれ導電ペーストを塗布して電極パターンを形成する工程と、前記電極パターンを形成した第1のグリーンシートと同じく第2のグリーンシートとを積層する工程と、この積層体を焼成する第1の焼成工程と、この第1の焼成工程よりも高い焼成温度で焼成する第2の焼成工程とを備えたセラミック多層基板の製造方法。
引用特許：
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