特許

J-GLOBAL ID：200903020369112810

半導体装置の製造方法

発明者： 渡部 宏治
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-108595
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299295
出願日： 1999年04月15日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】【課題】 プラズマCVD法で浅い接合層上にTiSi2層を形成するとき、塩素のSiの消費を抑え、浅い接合を破壊せず、TiSi2層を制御良く形成する方法を提供する。【解決手段】 (1)基板温度150°C以下で、Ar/H2/TiCl4プラズマ雰囲気中で処理し、露出したSi表面をTi,Clで覆う。(2)Si表面に吸着した塩素を基板より引き抜くために、還元効果のある水素,あるいはシランガスを流しながら表面をプラズマ処理する。これにより、プラズマ中で分解した水素ラジカルと塩素とが反応し、HClとして表面から脱離する。(3)最後に、基板温度を600°C程度にし、シリサイド化反応を起こす。上述した(1)〜(3)の操作を、目的とする膜厚になるまで繰り返す。以上述べた方法により、TiCl4を原料ガスにしたプラズマCVD法での塩素によるエッチング反応を抑制することができる。その結果、TiSi2層12を浅い接合層上に、接合層を破壊することなく制御良く形成することができる。

請求項（抜粋）：

少なくとも金属ハロゲン化物を含むガスをプラズマ解離させることで半導体基板上に製膜を行うCVD法を用いる半導体装置の製造方法において、前記半導体基板の基板温度を第1の温度とし、この半導体基板表面に供給される金属ハロゲン化物をプラズマ解離することにより、半導体基板上に金属原子とハロゲン原子とを堆積させる堆積過程と、前記半導体基板の基板温度を第2の温度とし、前記半導体基板表面に還元性ガスを供給するとともに、プラズマによりこの還元性ガスをラジカルな状態とし、堆積過程で前記半導体基板表面に堆積されたハロゲン原子をガス化して、この半導体基板表面からハロゲン原子を除去する除去過程と、前記半導体基板の基板温度を第3の温度とし、前記半導体基板表面近傍の半導体原子と金属原子とを反応させ、半導体原子と金属原子との合金を形成する合金形成過程とを有し、前記堆積過程、前記除去過程及び合金形成過程をこの順番で繰り返して行うことにより、前記半導体基板表面に任意の厚さの前記合金の膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/08

FI (3件)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 T ,  C23C 16/08

Fターム (12件)：

4K030AA02 ,  4K030AA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA48 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030JA10 ,  4M104BB25 ,  4M104CC01 ,  4M104DD45 ,  4M104DD84 ,  4M104HH04