特許
J-GLOBAL ID：200903020371285969
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-325180
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181311
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板内に形成した基板と反対の導電型の不純物領域について、基板あるいは不純物領域の電位を変化させた場合に、微細化をはかりつつも不純物領域と基板間に形成されるP-N接合リーク電流及びその変化量を低減する。【構成】 P型基板内のN型不純物領域の不純物濃度分布5状態が、不純物領域内部では緩やかな濃度変化6とし、且つ、P型基板の濃度分布4とN型不純物の濃度分布5間で形成されるN-P接合8近傍では急峻な濃度変化7となるようにすることにより、P-N接合リーク電流及びその変化量を低減することができる、N型の不純物領域を備えた半導体装置である。
請求項（抜粋）：
一導電型半導体基板内の所定の位置に、前記半導体基板とP-N接合を型成しかつ前記P-N接合付近では濃度分布が急峻に変化し前記P-N接合より離れた領域内部では緩やかな濃度分布である他導電型の不純物領域を備えた半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 301 Y
, H01L 29/78 301 L
, H01L 29/78 301 S
