特許

J-GLOBAL ID：200903020371682194

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 佐藤 久子 ,  増田 弘生 ,  常野 克己 ,  青山 仁子
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-040793
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242460
出願日： 1997年02月25日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】 LDD構造のMOSFETと類似したMOSFETを簡単な製造プロセスをもって形成でき、優れたホットキャリア耐性を備えているMOSFETを有する半導体集積回路装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1の上にゲート絶縁膜3とその上にゲート電極4を形成した後、半導体基板1の上に、厚膜の酸化シリコン膜6を堆積し、ゲート電極4の側壁に酸化シリコン膜6からなる側壁酸化シリコン膜6aを形成する工程と、酸化シリコン膜6を通して、半導体基板1に、イオン注入法を使用して、ヒ素などの不純物をイオン打ち込みした後、アニールを行って、イオン打ち込みされた不純物を拡散して、ソース/ドレインとしての半導体領域7をLDD構造に類似した構造をもって形成する工程とを有するものである。

請求項（抜粋）：

ゲート電極の側壁にある酸化シリコン膜の下部の半導体基板にソース/ドレインとなっている半導体領域がLDD構造に類似した構造をもって形成されており、前記半導体領域は、前記酸化シリコン膜が形成された後に、不純物のイオン注入法を使用して形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088

FI (2件)：

H01L 29/78 301 L ,  H01L 27/08 102 B