特許

J-GLOBAL ID：200903020371688621

多結晶半導体の製造方法および製造装置

発明者： 米田 昌司 ,  細工藤 龍司 ,  村木 達哉 ,  石坂 進一
出願人/特許権者： 株式会社日本製鋼所
代理人 (1件)： 横井 幸喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-246200
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074206
出願日： 1997年08月27日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【目的】 太陽電池用の多結晶シリコン薄膜を効率的に製造し、また大面積化を容易にする。【構成】 基板1上に成膜されたアモルファス薄膜4に、ランプ光源15から発せられて集光反射鏡16および集光レンズ18によって集光された熱線15aを照射するとともに、走査系機構12によって熱線15aと基板1とを相対的に移動させる。【効果】 基板の高温加熱を必要とすることなく効率的にアモルファス薄膜を加熱して多結晶化することができ、大面積化も熱線の走査により容易である。

請求項（抜粋）：

ランプ熱源から発せられた熱線を集光反射鏡で反射させた後、さらに集光レンズで集光してアモルファス薄膜の表面に照射するとともに、集光熱線とアモルファス薄膜とを相対的に移動させてアモルファス薄膜を多結晶化することを特徴とする多結晶半導体の製造方法

IPC (3件)：

H01L 21/26 ,  H01L 21/20 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L 21/26 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 31/04 X