特許
J-GLOBAL ID:200903020372660089

有機EL素子の陽電極の製造方法、製造装置および陽電極

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石井 陽一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-306638
公開番号(公開出願番号):特開平11-126688
出願日: 1997年10月21日
公開日(公表日): 1999年05月11日
要約:
【要約】【課題】 抵抗率が低く、ディスプレイに応用した場合に、大画面化、複雑な発光パターン、高精細画面等が実現可能な有機EL素子の陽電極の製造方法、製造装置および陽電極を提供する。【解決手段】 ターゲット2と基板1とを有し、前記基板1上にスパッタ法にて陽電極を成膜する有機EL素子の陽電極の製造方法であって、前記ターゲットの基板の中心に近い端部を基準としたときに、ターゲット面に対して、45〜85度の仰角となる範囲内に基板を配置し、少なくとも陽電極の表面部分を成膜する。
請求項(抜粋):
基板上にスパッタ法にてターゲットから飛散した材料で陽電極を成膜する有機EL素子の陽電極の製造方法であって、前記ターゲットの基板の中心に近い端部を基準としたときに、ターゲット面に対して、45〜85度の仰角となる範囲内に基板を配置し、少なくとも陽電極の表面部分を成膜する有機EL素子の陽電極の製造方法。
IPC (3件):
H05B 33/10 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/26
FI (3件):
H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/26

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