特許
J-GLOBAL ID：200903020375969161
シミュレーション方法及びその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-234170
公開番号（公開出願番号）：特開平9-081609
出願日： 1995年09月12日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】【課題】 従来のシミュレーションと同程度の計算時間で精度の良い半導体素子シミュレーションを実現し、半導体素子設計の効率化を実現する。【解決手段】 前記半導体および半導体表面に積層する物質に対する偏析パラメータを個別に設定する偏析パラメータ設定手段111と、前記偏析パラメータに対応した不純物の濃度パラメータを個別に設定する不純物濃度設定手段112と、前記不純物濃度パラメータから不純物濃度を決定する不純物濃度決定手段113とを備えて、半導体および半導体表面に積層する物質に対する偏析パラメータを個別に設定してシミュレーションを行うことで、従来と同程度の計算時間で精度良くシミュレーションを行うことができる。
請求項（抜粋）：
不純物を導入した半導体基板表面に、絶縁膜、半導体膜、または金属若しくは金属化合物膜の積層膜を積層する工程における前記不純物の拡散シミュレーション方法において、前記半導体基板と前記積層膜との間の前記不純物の偏析パラメータを、前記半導体基板内部と前記積層膜内部で個別に設定する偏析パラメータ設定工程と、前記半導体基板内部及び前記積層膜内部で個別に設定されたそれぞれの偏析パラメータを用いて半導体基板の表面に前記積層膜を積層する工程における前記不純物の拡散シミュレーションを行って前記不純物の濃度変数を設定する不純物濃度変数設定工程と、この不純物濃度変数設定工程により設定された前記不純物の濃度変数により前記半導体基板内部及び積層膜内部の不純物濃度を決定する不純物濃度決定工程と、を含むことを特徴とするシミュレーション方法。
IPC (4件)：
G06F 17/50
, G06F 17/00
, H01L 21/22
, H01L 21/316
G06F 15/60 636 B
, H01L 21/22 Z
, H01L 21/316 Z
, G06F 15/20 D
