特許
J-GLOBAL ID：200903020380541633

有機半導体構造物、その製造方法及び有機半導体装置

発明者：
半那 純一

半那 純一 について

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飯野 裕明

飯野 裕明 について

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前田 博己

前田 博己 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (1件)： 吉村 俊一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-108591
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294603
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：
【課題】 大きな面積で均一な電荷輸送特性を持つ有機半導体層を形成してなる有機半導体構造物、その製造方法及び有機半導体装置を提供する。【解決手段】 少なくとも一部に、液晶性分子を有する有機半導体材料からなる有機半導体層を備えた有機半導体構造物の製造方法であって、前記液晶性有機半導体材料は、無秩序相から秩序相に相転移する過程で過冷却状態を呈し、且つ、当該過冷却状態から秩序相に相転移する材料であり、無秩序相を呈した液晶性有機半導体材料を、無秩序相からの昇温過程において秩序相に相転移する温度未満の温度まで過冷却状態を維持しながら冷却し、秩序相への相転移を開始させた後に、秩序相が熱力学的安定相となり無秩序相が熱力学的準安定相となる状態にし、その状態を前記液晶性有機半導体材料が秩序相を呈する状態になるまで保持して有機半導体層を形成することにより、上記課題を解決した。
請求項（抜粋）：
少なくとも一部に、液晶性分子を有する有機半導体材料からなる有機半導体層を備えた有機半導体構造物の製造方法であって、 前記液晶性有機半導体材料は、前記液晶性分子間の重心位置に周期的な秩序を有さない相から前記液晶性分子間の重心位置に周期的な秩序を有する相に相転移する過程で過冷却状態を呈し、且つ、当該過冷却状態から前記液晶性分子間の重心位置に周期的な秩序を有する相に相転移する材料であり、 前記液晶性分子間の重心位置に周期的な秩序を有さない相を呈した前記液晶性有機半導体材料を、前記液晶性分子間の重心位置に周期的な秩序を有さない相からの昇温過程において前記液晶性分子間の重心位置に周期的な秩序を有する相に相転移する温度未満の温度まで過冷却状態を維持しながら冷却し、 前記液晶性分子間の重心位置に周期的な秩序を有する相への相転移を開始させた後に、前記液晶性分子間の重心位置に周期的な秩序を有する相が熱力学的安定相となり前記液晶性分子間の重心位置に周期的な秩序を有さない相が熱力学的準安定相となる状態にし、当該状態を前記液晶性有機半導体材料が前記液晶性分子間の重心位置に周期的な秩序を有する相を呈する状態になるまで保持することにより前記有機半導体層を形成することを特徴とする有機半導体構造物の製造方法。
IPC (3件)：
H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00
FI (3件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/28
Fターム (47件)：
5F110AA28 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF05 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK07 ,  5F110HK17 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110PP01
引用特許：
審査官引用 (3件)

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