特許

J-GLOBAL ID：200903020385071635

照射による半導体ウエーハの急速熱処理方法

発明者： ロナルト カコシユケ
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-098783
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114571
出願日： 1992年03月24日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：

【要約】【目的】 石英室中に収容された半導体ウェーハの電磁波照射による急速熱処理方法において、ウェーハの中央と縁との間の温度分布の高い均一性を全熱処理期間にわたり保証する。【構成】 半導体ウェーハ1全体にわたる電球3の均一な光及び半導体ウェーハ1の熱放射の強度分布により、半導体ウェーハ1の中央領域及び縁領域で同一温度が得られるように、半導体ウェーハ1が照射されるように設計された反射器4が用いられる。

請求項（抜粋）：

望ましくは石英室(2)により囲まれた半導体ウェーハ(1)を加熱する照射装置を備え、この装置が光を半導体ウェーハ(1)の少なくとも片面に照射する複数の光源(3)と、半導体ウェーハ(1)及び光源(3)を完全に囲み反射器として用いられる反射室(4)とから成るようにした、電磁波照射による半導体ウェーハの急速熱処理方法において、この方法を実施するために、半導体ウェーハ(1)全体にわたる均一な光及び半導体ウェーハ(1)の熱放射の強度分布により、半導体ウェーハ(1)の中央領域(6)及び縁領域(5)で同一温度が得られるように、半導体ウェーハ(1)が照射されるように設計された照射装置、特に反射器が用いられることを特徴とする照射による半導体ウェーハの急速熱処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/26 ,  H01L 21/324

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭59-158954
  
• 特開昭61-251128
  
• 特開平2-185037
  
• 特開平1-319934