特許
J-GLOBAL ID:200903020387793239
光電変換素子及び固体撮像素子
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
高松 猛
, 矢澤 清純
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-271667
公開番号(公開出願番号):特開2009-099866
出願日: 2007年10月18日
公開日(公表日): 2009年05月07日
要約:
【課題】光電変換効率の低下をできるだけ抑えつつ、暗電流を減少させることができる光電変換素子及び固体撮像素子を提供する。【解決手段】本発明は、一対の電極と、一対の電極の間に配置された光電変換層とを含む光電変換部を有する光電変換素子であって、光電変換層の少なくとも一部がp型有機半導体とフラーレン類の混合層を含む光電変換素子であって、該p型有機半導体に対するフラーレン類の体積比が、一対の電極の正孔捕集電極側より電子捕集電極側の方が小さい。【選択図】図1
請求項(抜粋):
一対の電極と、前記一対の電極の間に配置された光電変換層とを含む光電変換部を有する光電変換素子であって、前記光電変換層の少なくとも一部がp型有機半導体とフラーレン類の混合層を含む光電変換素子であって、該p型有機半導体に対するフラーレン類の体積比が、前記一対の電極の正孔捕集電極側より電子捕集電極側の方が小さい光電変換素子。
IPC (5件):
H01L 31/10
, H01L 27/146
, H04N 5/335
, H01L 51/00
, H01L 51/30
FI (5件):
H01L31/10 A
, H01L27/14 E
, H04N5/335 U
, H01L29/28 100Z
, H01L29/28 220A
Fターム (32件):
4M118AA01
, 4M118AB01
, 4M118BA07
, 4M118BA10
, 4M118BA14
, 4M118CA02
, 4M118CA14
, 4M118CA25
, 4M118CA27
, 4M118CB05
, 4M118CB14
, 4M118CB20
, 4M118GC07
, 5C024AX01
, 5C024CX32
, 5C024CX41
, 5C024DX01
, 5C024EX52
, 5C024GX03
, 5C024GX20
, 5C024GY01
, 5C024GY31
, 5F049MA02
, 5F049MB08
, 5F049NA05
, 5F049NB05
, 5F049SE04
, 5F049SS01
, 5F049SZ06
, 5F049SZ10
, 5F049UA14
, 5F049WA03
引用特許:
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