特許
J-GLOBAL ID:200903020393125990

半導体発光装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-243109
公開番号(公開出願番号):特開2000-077722
出願日: 1998年08月28日
公開日(公表日): 2000年03月14日
要約:
【要約】【課題】 ツェナーダイオードを静電気保護素子として発光素子と複合素子化したアセンブリの半導体発光装置において、確実な静電気保護機能の確保と動作電圧の適正化を図ること。【解決手段】 フリップチップ型の発光素子1を、n側及びp側の電極6b,6cを備えたツェナーダイオード6に逆極性として導通搭載して静電気保護を図る半導体発光装置において、ツェナーダイオード6の電極6b,6cは発光素子1を搭載する領域と、リードフレーム11との間にワイヤをボンディングするためのボンディング領域とを備える。
請求項(抜粋):
透明基板の上に半導体薄膜層を積層するとともにこの積層膜の表面側にp側及びn側の電極をそれぞれ形成した半導体発光素子と、2つの独立した電極を一面側に形成しこれらの電極のそれぞれを前記p側及びn側の電極に逆極性として導通させて前記半導体発光素子を搭載接合する静電気保護用の静電気保護素子と、この静電気保護素子を搭載するリードフレームまたは基板等の基材とを備え、前記静電気保護素子のn側及びp側の電極は、前記半導体発光素子を搭載してそのp側及びn側の電極を接合する搭載接合領域と、この搭載接合領域にそれぞれ連ねて形成され前記リードフレームとの間にワイヤをボンディングするためのボンディング領域とを含む半導体発光装置。
Fターム (18件):
5F041AA21 ,  5F041AA23 ,  5F041AA24 ,  5F041BB05 ,  5F041BB07 ,  5F041BB25 ,  5F041CA13 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CB13 ,  5F041CB33 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041DA20 ,  5F041DA36 ,  5F041DA44 ,  5F041FF04 ,  5F041FF12
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 半導体発光素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-271037   出願人:ローム株式会社

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