特許

J-GLOBAL ID：200903020397443279

磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気メモリ

発明者： 砂井 正之 ,  猪俣 浩一郎 ,  斉藤 好昭 ,  中島 健太郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-322549
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144345
出願日： 1999年11月12日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】 強磁性トンネル接合のバイアス電圧に対する磁気抵抗比の依存性が少なく実用性の高い磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 強磁性層(4)/トンネル障壁(5)/強磁性層(6)/トンネル障壁(7)/強磁性層(8)の5層構造を含む強磁性二重トンネル接合を有し、前記3つの強磁性層の磁化の相対的角度によりトンネルコンダクタンスが変化する磁気抵抗効果素子において、零バイアス付近のバイアス電圧の増加に対して、そのトンネルコンダクタンスが、4.2K付近の極低温で、指数関数的増加を示す磁気抵抗効果素子。

請求項（抜粋）：

強磁性層/トンネル障壁/強磁性層/トンネル障壁/強磁性層の5層構造を含む強磁性二重トンネル接合を有し、前記3つの強磁性層の磁化の相対的角度によりトンネルコンダクタンスが変化する磁気抵抗効果素子において、零バイアス付近のバイアス電圧の増加に対して、そのトンネルコンダクタンスが、4.2K付近の極低温で、指数関数的増加を示すことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/10 451

FI (5件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/10 451

Fターム (22件)：

5D034BA03 ,  5D034BB20 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AA10 ,  5E049AB02 ,  5E049AB10 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049CB02 ,  5E049DB04 ,  5E049DB14 ,  5F083FZ10 ,  5F083KA01 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA20 ,  5F083PR04 ,  5F083PR22

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁気素子とそれを用いた磁気部品および電子部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-039344   出願人：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子及び磁気情報検出方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-069581   出願人：株式会社東芝