特許
J-GLOBAL ID：200903020402926810
チタン酸バリウム系半導体材料の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-271083
公開番号（公開出願番号）：特開平11-106256
出願日： 1997年10月03日
公開日（公表日）： 1999年04月20日
要約：
【要約】【課題】 広い範囲において低抵抗な半導体化領域を有し、特性が安定したチタン酸バリウム系半導体材料を製造する方法を提供することを課題とする。【解決手段】 チタン酸バリウム系磁器組成物において、希土類元素、Nb、Ta、WおよびSbのうち少なくとも一種を含有した原料粉末の成形体にマイクロ波を照射して加熱・焼結することを特徴とするチタン酸バリウム系半導体材料の製造方法を提供する。
請求項（抜粋）：
チタン酸バリウム系磁器組成物において、希土類元素、Nb、Ta、WおよびSbのうち少なくとも一種を含有した原料粉末の成形体にマイクロ波を照射して加熱・焼結することを特徴とするチタン酸バリウム系半導体材料の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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