特許
J-GLOBAL ID:200903020437195753
六角格子状にレイアウトされた方形読出し層を有するアモルファスシリコン能動画素センサ
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
古谷 馨 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-021718
公開番号(公開出願番号):特開2000-236416
出願日: 2000年01月31日
公開日(公表日): 2000年08月29日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 高解像度、低ノイズ、柔軟なカラーパターン、高充填密度、最適化した画素形状、高密度、低クロストークな能動イメージセンサを提供する。【解決手段】 能動イメージセンサは、複数の読出しセル20が形成される読出し層17を画定する半導体基板からなり、読出し層は、複数の空洞6を有する検出層3を画定する誘電材料から形成され、空洞が読出しセルの1つの信号入力と通じる開口を備える。空洞は六角格子状のレイアウトで配列されて読出しセルとは反対側に配置される。空洞の中には、真性アモルファスシリコンP-I-Nフォトダイオード7が形成され、入射光を表わす出力信号を生成する。空洞には配線21が形成され、出力信号を読出しセルの信号入力へ伝達する。フォトダイオード上には、バイアスをかけられた透明電極9が設けられる。P-I-Nフォトダイオード及び透明電極が共に副画素5を画定する。
請求項(抜粋):
読出し層を画定する半導体基板と、該読出し層がその内に形成される複数の読出しセルを備え、該読出しセルの各々が信号入力を備え、該読出しセルが列をなして配置され、各列が、隣接する列中にある読出しセルに対して位置のずれている読出しセルを備えることと;前記読出し層上に形成され、検出層を画定する誘電材料と、該検出層がその内に形成される複数の空洞を有し、該空洞のそれぞれがその一部に前記読出しセルの1つの信号入力と通じる開口を備え、前記空洞が、六角格子状のレイアウトで配列され、前記読出しセルとは反対側に配置されることと;前記空洞のそれぞれの中に形成されている真性アモルファスシリコンP-I-Nフォトダイオードと、該真性アモルファスシリコンP-I-NフォトダイオードがこのP-I-Nフォトダイオード上に入射する光を表わす出力信号を生成するように作動することと;前記空洞のそれぞれの開口内に配置されている配線と、該配線が、前記P-I-Nフォトダイオードからの出力信号を前記読出しセルの信号入力へと電気的に伝達するように作用することと;さらに前記P-I-Nフォトダイオード上に配置されている、バイアスをかけられた光学的に透明な電極と、該光学的に透明な電極が、前記P-I-Nフォトダイオードにバイアスをかけ、該光学的に透明な電極上に入射した光を前記P-I-Nフォトダイオード上に結像するように作用することとを含み;前記P-I-Nフォトダイオード及び前記光学的に透明な電極が共に副画素を画定することを特徴とするイメージセンサ。
IPC (2件):
FI (2件):
H04N 1/028 Z
, H01L 27/14 C
引用特許:
審査官引用 (4件)
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特開昭58-070204
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特開平3-159485
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イメージセンサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-144016
出願人:松下電器産業株式会社
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