特許
J-GLOBAL ID：200903020439113959
オーム性接合電極およびその形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-079919
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291078
出願日： 1993年04月07日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：
【要約】【目的】p形ダイヤモンドとの界面での炭化物の形成が酸素によって阻害されないで、良好な低抵抗接触を示すオーム性接合電極を提供する。【構成】含有量が15〜50原子%のチタンあるいはタンタルと金あるいは白金との合金を蒸着し、アニールして電極を形成する。
請求項（抜粋）：
合金元素としてチタンを15〜50原子%含む金からなることを特徴とするp形ダイヤモンド薄膜へのオーム性接合電極。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
