特許
J-GLOBAL ID：200903020442778198
薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-073314
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235356
出願日： 1992年02月25日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置において、OFF電流を低減するための構造を提供する。【構成】 薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置において、ゲイト絶縁膜の下にチャネル領域103を設け、さらに、その下にソース/ドレイン領域とは逆の導電型を有する半導体からなる領域109を設け、ソース/ドレイン間のリーク電流を減らすとともに、基板の影響が該アモルファス半導体領域で遮蔽されて、チャネル領域にまで到達しないようにした絶縁ゲイト型半導体装置。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に形成され、第1の導電型を有するソース領域およびドレイン領域と、前記ソース/ドレイン領域に挟まれたチャネル領域と、前記チャネル領域の下にあり、第1の導電型とは異なる第2の導電型を有する領域とを有することを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
