少数担体再結合寿命測定装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-064401
公開番号（公開出願番号）：特開平5-264473
出願日： 1992年03月23日
公開日（公表日）： 1993年10月12日
要約：

【要約】【目的】シリコン基板の少数担体再結合寿命を測定する際に、表面再結合の影響を受けないようにする。又、深さ方向の分析も可能とする。【構成】透明絶縁物11Aに被覆された透明電極12Aと、絶縁物11Bに被覆された電極12Bに、電源15によって電圧を印加し、シリコン基板3に空乏層を生じさせ、シリコン基板3中に発生した少数担体が基板表面に拡散して行くことを防ぎ、基板表裏面での再結合が起らないようにする。電源15の電圧を変化させるて空乏層の厚さを変化させることにより、深さ方向の分析が可能である。

請求項（抜粋）：

シリコン結晶基板の一方の面からレーザパルスを照射し少数担体を発生させ、前記シリコン結晶基板の一方の面から入射したマイクロ波の反射波の強度の時間的変化から前記少数担体の再結合寿命を求める型の少数担体再結合寿命測定装置において、少なくとも、前記シリコン結晶基板を他方の面で支持する、絶縁物で被覆された電極と、前記シリコン結晶基板の一方の面に接触する、透明絶縁物で被覆された透明電極と、前記シリコン結晶基板の一方の面および他方の面より内部に空乏層を生じさせるための電源とを備えたことを特徴とする少数担体再結合寿命測定装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-289442
特開平4-139852
特表平1-500613

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