特許
J-GLOBAL ID：200903020453256789
アモルフアスシリコン膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寺田 實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-306340
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144741
出願日： 1991年11月21日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 液体原料への光照射による堆積方法により高品質なa-Si膜を形成させる。【構成】 液状の高次シランを基板上に塗布した後、不活性ガス雰囲気中で波長400nm以下の光を照射する。
請求項（抜粋）：
一般式Sin H2n+2(但し、nはn≧2の整数)であらわされる高次シランを用いて光分解により基板上にアモルファスシリコン膜を形成する方法において、液状の高次シランを基板上に塗布した後、不活性ガス雰囲気中で波長400nm以下の光を照射することにより分解して、該基板上にアモルファスシリコン膜を堆積させることを特徴とするアモルファスシリコン膜の形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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