特許
J-GLOBAL ID：200903020457490670
化合物半導体ウエハ及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-256667
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102053
出願日： 1991年10月03日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】結晶育成段階で半絶縁性とするのではなく、ウェハ段階で半絶縁性とすることによって、単結晶化率を高く、転位密度を少なくする。【構成】無添加でInP結晶をLEC法により成長する。この結晶からウェハを切り出す。このときのウェハは低抵抗である。表面を鏡面研磨したウェハを、Feを溶かした硝酸系溶液に浸漬した後、水洗し、スピンナにて乾燥する。このウェハを加熱処理して、結晶中にFeを熱拡散する。このウェハ及び、Feの拡散処理を施していないウェハ表面の抵抗は、Fe拡散処理を施していないウェハでは低くて半絶縁性とはならず、Fe拡散処理を施したウェハでは、溶液濃度1ppm以上で大幅に抵抗が高くなり半絶縁性となる。
請求項（抜粋）：
浅い準位の不純物を補償するために深い準位を形成する不純物をドープして半絶縁性とした化合物半導体ウェハにおいて、前記深い準位を形成する不純物を拡散によりドープする不純物の拡散層を有する化合物半導体ウェハ。
引用特許：
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