特許
J-GLOBAL ID：200903020467135860
半導体装置における絶縁膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-286125
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122552
出願日： 1993年10月20日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：
【要約】【目的】下地(基体)の表面特性に対する依存性が少なく、しかも配線パターンに対する依存性も少なく、更にはエタノールのような液状の表面処理剤の塗布による問題を解消し得る絶縁膜の形成方法を提供する。【構成】半導体装置における絶縁膜形成方法は、基体に相当する層間膜16を有機化合物の蒸気雰囲気に暴露して、有機化合物から成る表面処理膜18を基体表面に形成した後、有機シリコン系化合物と酸化剤とを反応させて基体に相当する層間膜16上に絶縁膜20を形成する。基体を有機化合物の蒸気雰囲気に暴露する前に、基体に熱処理を施す工程を含むことができる。
請求項（抜粋）：
基体を有機化合物の蒸気雰囲気に暴露して、該有機化合物から成る表面処理膜を基体表面に形成した後、有機シリコン系化合物と酸化剤とを反応させて表面処理膜上に絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置における絶縁膜形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 21/768
