特許
J-GLOBAL ID:200903020469252856
補強された半導体ウェーハ保持装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
浅村 皓 (外3名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-530526
公開番号(公開出願番号):特表平9-512960
出願日: 1995年05月23日
公開日(公表日): 1997年12月22日
要約:
【要約】半導体ウェーハを隔離して制御する簡単、安価且つ目立たない閉鎖された半導体ウェーハ保持装置(10)およびカバー(24)が記載される。カバーは、半導体ウェーハ保持装置に係合されたときにシールを形成する密封周辺(23)を含む。この保持装置は掃気手段(53)も更に含み、これが不活性ガスを密封された半導体ウェーハ保持装置の内部に実際にゆっくりと掃気できるようにする。この保持装置は、歪みを生じたときも半導体ウェーハの移動に影響を与えない凹部形成対部分(44a〜44t,46a〜46t)を付形される。凹部形成対部分はまた全体的に対応したリブ(100a〜100t)も有しており、これらはプラスチック材の射出モールド成形処理時に付形された凹部形成対部分に歪みを生じるのを防止する。
請求項(抜粋):
半導体ウェーハを固定的に収容する包囲体であって、 対向内面を有する間隔を隔てられた平行な側部、および開口上端部を有しており、また前記開口上端部の周辺まわりを延在するリップ、および半導体ウェーハを支持するために複数の整合された平行な溝を形成している前記対向内面上に整合された複数の溝形成スペーサ手段を備えている容器を含み、前記溝形成スペーサ手段が前記溝内へのウェーハの自動挿入および外溝内に支持されているウェーハの取り出しを容易にするような輪郭を付形されていることを特徴とする包囲体。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 21/68 T
, B65D 85/38 R
引用特許:
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