特許

J-GLOBAL ID：200903020472485101

有機薄膜トランジスタ素子及びその製造方法

発明者： 片倉 利恵 ,  平井 桂 ,  福田 光弘 ,  北 弘志
出願人/特許権者： コニカミノルタホールディングス株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-061194
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273677
出願日： 2003年03月07日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】生産効率が高く且つキャリア移動度の大きなアセン類を含有する有機半導体層を備えてなる有機薄膜トランジスタ素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】基板の表面に、ゲート電極及びゲート絶縁膜を形成した後、該ゲート絶縁膜の上に、プロトネートにより脱離し得る基を少なくとも一つ有するアセン類前駆体を含有する層を形成した後、該層を加熱することにより該アセン類前駆体をアセン類に変換し有機半導体層とすることを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

プロトネートにより脱離し得る基を少なくとも一つ有するアセン類前駆体から脱離により変換されたアセン類を含有する有機半導体層を備えてなることを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子。

IPC (2件)：

H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (2件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/28

Fターム (36件)：

5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF24 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110QQ14