特許
J-GLOBAL ID：200903020475198650
半導体放射線検出素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-045139
公開番号（公開出願番号）：特開平8-242014
出願日： 1995年03月06日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：
【要約】【目的】絶縁層の膜厚を大きくしても空乏層が広がり放射線検出可能な素子を得る。【構成】放射線により発生する電荷を収集する信号電流検出用金属電極5と、素子内で発生する漏れ電流を集める漏れ電流集電用金属電極4を分離して設ける。信号電流検出用金属電極には漏れ電流を流す必要がないため、金属/SiO2 /SiのMOS構造を利用して絶縁層の膜厚を大きくすることができる。
請求項（抜粋）：
ー伝導型の半導体基板と、この半導体基板のー主面に設けられた絶縁層と、前記絶縁層の上に設けられた信号電流検出用金属電極と、前記半導体基板の他主面に設けられたオーミック電極とを有する素子であって、信号電流検出用金属電極とオーミック電極の間に逆バイアスを印加して、ー主面から前記半導体基板内に広がる空乏層を形成するとともに空乏層内に放射線を照射して空乏層内に発生する正孔-電子対に基づく電流を検出する半導体放射線検出素子において、漏れ電流集電用金属電極を絶縁層の配置された前記半導体基板の主面上に設けてなることを特徴とする放射線検出素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/00 A
, H01L 31/10 E
