特許
J-GLOBAL ID：200903020477909406
中性子発生装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-342581
公開番号（公開出願番号）：特開平11-169470
出願日： 1997年12月12日
公開日（公表日）： 1999年06月29日
要約：
【要約】【課題】 円形のイオン強度分布の一様性が期待できない等の課題があった。【解決手段】 この発明に係る中性子発生装置は、イオン源1、1’、1”からのビームを所定の電界で加速し、同心状に配置された複数のRFQライナック8、8’、8”と、中性子を発生するターゲット14の一面に、複数のビームを円形に到達するように偏向するソレノイドコイル13とを備えた。【効果】 ターゲット面で円形断面のイオン分布を得ることができ、中性子発生源としては円柱型を得ることができ、さらに、中性子捕獲療法等に利用し易い中性子発生分布を得ることができる。
請求項（抜粋）：
イオン源からのビームを所定の電界で加速し、同心状に配置された複数のRFQライナックと、中性子を発生するターゲットの一面に、複数のビームを円形に到達するように偏向するソレノイドコイルとを備えたことを特徴とする中性子発生装置。
IPC (5件)：
A61N 5/10
, G21K 5/02
, G21K 5/08
, H05H 3/06
, H05H 6/00
A61N 5/10 D
, G21K 5/02 N
, G21K 5/08 N
, H05H 3/06
, H05H 6/00
