特許

J-GLOBAL ID：200903020481632184

半導体装置

発明者： 谷田 進
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-318070
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135081
出願日： 1999年11月09日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：

【要約】【課題】 安定した内部電源電位を生成することが可能でレイアウト面積が小さな半導体装置を提供する。【解決手段】 SDRAMのVPP発生回路において、アクティブポンプ制御回路4は、アクティブレベル検出信号φ2とスタンバイレベル検出信号φ3のうちの少なくとも一方が「H」レベルの場合は、信号φ4を「H」レベルにしてチャージポンプ6a〜6d,7a〜7dを動作可能状態にする。1つのバンクのみが長時間活性化されて信号φ2が「L」レベルのまま変化しない場合でも信号φ3,φ4が「H」レベルになるので、チャージポンプ6a〜6d,7a〜7dは動作可能状態になる。したがって、昇圧電位VPPが安定し、プール容量10,11は小さくてすむ。

請求項（抜粋）：

スタンバイ状態とアクティブ状態を有する内部回路を備えた半導体装置であって、前記内部回路に内部電源電位を与えるための内部電源ノード、前記内部電源ノードの電位が予め定められた目標電位に到達しているか否かを常時検出し、到達していない場合は第1の制御信号を活性化レベルにする第1の検出回路、前記内部回路がアクティブ状態にされたことに応じて予め定められた時間だけ活性化され、前記内部電源ノードの電位が予め定められた目標電位に到達しているか否かを検出し、到達していない場合は第2の制御信号を活性化レベルにする第2の検出回路、前記第1の制御信号が活性化レベルの場合に活性化され、予め定められた周期で前記内部電源ノードに電荷を供給する電荷供給能力が小さな第1のチャージポンプ、前記第1および第2の制御信号のうちの少なくとも一方が活性化レベルにされている場合に第3の制御信号を活性化レベルにする制御回路、および前記第3の制御信号が活性化レベルの場合に活性化され、前記内部回路がスタンバイ状態にされたことに応じて前記内部電源ノードに電荷を供給する電荷供給能力が大きな第2のチャージポンプを備える、半導体装置。

IPC (4件)：

G11C 11/407 ,  G11C 11/401 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

G11C 11/34 354 F ,  G11C 11/34 362 H ,  H01L 27/04 G

Fターム (14件)：

5B024AA04 ,  5B024AA07 ,  5B024BA27 ,  5B024CA10 ,  5B024CA16 ,  5F038BG02 ,  5F038BG03 ,  5F038BG05 ,  5F038CD08 ,  5F038CD15 ,  5F038DF05 ,  5F038DF14 ,  5F038DF16 ,  5F038EZ20