半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-153387
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353443
出願日： 2001年05月23日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】互いにエッチング特性が異なる2種以上の酸化膜の形成を伴う場合に、エッチング選択比の悪化を回避しうるエッチング工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ゲート電極の側面上に、NSG膜,TEOS膜などの第1酸化膜と、BPSG膜,PSG膜などの第2酸化膜とを含む積層膜サイドウォールを形成する。その後、積層膜サイドウォールをMISトランジスタのソース・ドレイン形成用注入マスクとして使用した後、第2酸化膜を選択的に除去する際、フッ酸と酢酸あるいはイソプロピルアルコールとを含む水溶液でウェットエッチングする。これにより、各酸化膜のエッチング選択比を大きくし、上層の第2酸化膜のみを除去する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート絶縁膜とその上のゲート電極とを設けたMIS型トランジスタを有する半導体装置の製造工程において、ゲート電極の側面上に、エッチング特性が互いに異なる第1酸化膜と第2酸化膜とを含むサイドウォールを形成する工程(a)と、上記サイドウォールをマスクとしてソース・ドレイン領域形成用のイオン注入を行なう工程(b)と、上記サイドウォールをフッ酸と有機溶液とを含む混合溶液によりエッチングして、上記第2酸化膜を選択的に除去する工程(c)とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 , H01L 21/28 301 , H01L 21/306 , H01L 21/308 , H01L 21/316

FI (7件)：

H01L 21/28 E , H01L 21/28 301 A , H01L 21/308 E , H01L 21/316 M , H01L 21/316 X , H01L 29/78 301 G , H01L 21/306 D

Fターム (71件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD64 , 4M104DD80 , 4M104DD91 , 4M104EE05 , 4M104EE09 , 4M104EE12 , 4M104EE15 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104HH20 , 5F043AA33 , 5F043AA36 , 5F043BB22 , 5F043BB27 , 5F043DD12 , 5F043DD15 , 5F043DD17 , 5F043GG04 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BF03 , 5F058BF04 , 5F058BF07 , 5F058BF25 , 5F058BH13 , 5F058BH15 , 5F058BJ07 , 5F140AA14 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF07 , 5F140BF13 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF27 , 5F140BG10 , 5F140BG12 , 5F140BG13 , 5F140BG14 , 5F140BG22 , 5F140BG27 , 5F140BG37 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BG54 , 5F140BG56 , 5F140BG58 , 5F140BG60 , 5F140BH15 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140CB04

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-208553 出願人：松下電子工業株式会社
電界効果型トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-290576 出願人：沖電気工業株式会社
エッチング液
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-332782 出願人：ダイキン工業株式会社

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