特許

J-GLOBAL ID：200903020493955256

AlGaInP系半導体レーザ素子

発明者： 細田 昌宏 ,  高橋 向星 ,  松井 完益
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-227377
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067836
出願日： 1991年09月06日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】 AlGaInP系の可視光半導体レーザ素子において,屈折率導波構造および電流狭窄構造を1回の結晶成長工程で形成すると共に,素子特性を安定させ,信頼性を向上させる。【構成】 凹部となるストライプ状溝110を有するp型の基板100上に,AlGaInP混晶系からなる,p型の第1クラッド層101,活性層102,n型の第2クラッド層103,およびn型のコンタクト層105を含む積層構造が形成されている。第2クラッド層103とコンタクト層105との間には,クラッド層103より禁制帯幅の小さいp型の中間層104が形成されている。中間層104の層厚は,溝側面部の上方ではキャリアのド・ブロイ波長より薄く,溝底部の上方ではキャリアのド・ブロイ波長より厚い。

請求項（抜粋）：

ストライプ状の凹部または凸部を有する第1導電型のGaAs基板上に,AlGaInP混晶系からなる第1導電型の第1クラッド層,活性層,第2導電型の第2クラッド層,および第2導電型のGaAsコンタクト層を含む積層構造が形成されたAlGaInP系半導体レーザ素子であって,第1導電型がp型の場合にはp-GaAs基板とp-AlGaInP第1クラッド層との間に第1クラッド層より禁制帯幅の小さいp-AlGaInP中間層が設けられ,第1導電型がn型の場合にはp-AlGaInP第2クラッド層とp-GaAsコンタクト層との間に第2クラッド層より禁制帯幅の小さいp-AlGaInP中間層が設けられ,その層厚が,凹部または凸部の段差斜面部の上方ではキャリアのド・ブロイ波長より薄く,それ以外の部分ではキャリアのド・ブロイ波長より厚い,AlGaInP系半導体レーザ素子。