特許
J-GLOBAL ID：200903020494317407

ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

発明者：
塩野 大寿

塩野 大寿 について

, 
鈴木 貴子

鈴木 貴子 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-004583
公開番号（公開出願番号）：特開2008-170784
出願日： 2007年01月12日
公開日（公表日）： 2008年07月24日
要約：
【課題】レジスト組成物中の酸発生剤濃度を高くしても、高い解像性が得られるポジ型レジスト組成物および該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する基材成分(A)、及び放射線の照射により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有し、基材成分(A)が、下記一般式(I)で表されるフェノール化合物またはその水酸基の水素原子の一部が炭素数1〜10のアルキル基で置換された置換フェノール化合物の水酸基の水素原子の一部または全部が酸解離性溶解抑制基で置換された化合物(A1)を含有し、基材成分(A)に対する前記酸発生剤成分(B)の含有量が10質量%を超えることを特徴とするポジ型レジスト組成物。[化1]【選択図】なし
請求項（抜粋）：
酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する基材成分(A)、および放射線の照射により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、 前記基材成分(A)が、下記一般式(I)で表されるフェノール化合物またはその水酸基の水素原子の一部が炭素数1〜10のアルキル基で置換された置換フェノール化合物の、水酸基の水素原子の一部または全部が酸解離性溶解抑制基で置換された化合物(A1)を含有し、前記基材成分(A)に対する前記酸発生剤成分(B)の含有量が10質量%を超えることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F7/004 501 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (21件)：
2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF29 ,  2H025BG00 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4H006AA03 ,  4H006AB78 ,  4H006BJ30 ,  4H006BJ50 ,  4H006BN30 ,  4H006BP30 ,  4H006BS10 ,  4H006KC12
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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