半導体レーザ素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-236864
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085393
出願日： 1992年09月04日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【構成】II-VI族半導体により形成される超格子構造を活性層として用い、この超格子構造を導波路となるストライプ領域以外でレーザ光照射による加熱により混晶化し平均組成の半導体とし、導波路を形成する。さらに、導波路となるストライプ領域以外の領域の半導体層を同様の手法により高抵抗化して自己整合的に電流狭搾をおこなう。【効果】II-VI族半導体の形状加工を必要としない横モード制御構造が可能となる。また、レーザ導波路以外の部分の無効電流を防止する構造を自己整合的に形成することができる。

請求項（抜粋）：

II-VI族半導体により形成される超格子構造を活性層としてもち、前記超格子構造が導波路となるストライプ領域以外で混晶化し平均組成の半導体となっており、上記混晶化した超格子構造の活性層が混晶化前の超格子と異なる種類及び濃度の不純物を含まないことを特徴とする半導体レーザ素子。

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