特許

J-GLOBAL ID：200903020496471780

フォトレジスト層除去装置

発明者： 工藤 譲
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-284164
公開番号（公開出願番号）：特開2003-091885
出願日： 2001年09月18日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
要約：

【要約】【課題】 レジストマスク法によってガラス基板上に形成した溝やピットのパターンを利用してニッケルスタンパを製造する装置において、フォトレジスト除去〜洗浄・乾燥までの一連の工程を、いちいちガラス基板を除去薬液中に浸漬して超音波除去させる必要なく、低欠陥で且つ効率よく行うことができる。【解決手段】 水溶性樹脂層から成り且つスタンパ表面の微細パターンの深さと同じ膜厚値を備えた下層2を形成する工程と、下層上に形成したフォトレジスト層3をマスクとして下層をエッチングする工程と、フォトレジスト層をフォトレジスト除去薬液によって除去して微細パターンを有する下層を備えたガラス基板1を作製する工程と、から成り、フォトレジスト層を除去する手段としてガラス基板を回転させつつ、超音波振動させたフォトレジスト除去薬液をガラス基板表面に滴下させる液吐出ノズル30を備えた。

請求項（抜粋）：

微細パターンを備えた下層を表面に有したガラス基板の表面に導電皮膜を形成してから、該導電皮膜をニッケル電鋳して該下層の微細パターンと凹凸が逆転した微細パターンを有する金属製スタンパを作製する光情報記録媒体用スタンパの製造工程を実施する装置であって、前記ガラス基板表面に微細パターンを備えた下層を形成する工程は、前記ガラス基板上に露光により反応しない水溶性樹脂層から成り且つスタンパ表面の微細パターンの深さと同じ膜厚値を備えた下層を形成する工程と、該下層上にフォトレジストを塗布後熱処理する工程と、該フォトレジスト層上に露光、現像によって微細パターンを形成する工程と、該フォトレジスト層をマスクとして下層をエッチングすることによって下層に微細パターンを形成する工程と、その後フォトレジスト層をフォトレジスト除去薬液によって除去して微細パターンを有する下層を備えたガラス基板を作製する工程と、から成り、下層の材料が、ポリビニルアルコール、メチルセルロース、もしくはポリビニルピロリドンから選ばれた水溶性樹脂樹脂であって、前記フォトレジスト層を除去する手段として、前記ガラス基板を回転させつつ、超音波振動させた前記フォトレジスト除去薬液をガラス基板表面に滴下させる液吐出ノズルを備えたことを特徴とするフォトレジスト層除去装置。

IPC (4件)：

G11B 7/26 511 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/40 521 ,  G03F 7/42

FI (4件)：

G11B 7/26 511 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/40 521 ,  G03F 7/42

Fターム (16件)：

2H025AB20 ,  2H025DA40 ,  2H025FA39 ,  2H025FA47 ,  2H025FA48 ,  2H096AA30 ,  2H096EA04 ,  2H096GA02 ,  2H096GA17 ,  2H096HA17 ,  2H096JA04 ,  2H096LA02 ,  5D121BB05 ,  5D121BB30 ,  5D121BB34 ,  5D121BB38