半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-296495
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147271
出願日： 1993年11月26日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：

【要約】【目的】高融点金属を含んだ金属膜からなる配線をサイド・エッチングなしに形成するエッチング方法を提供する。【構成】SF6 とN2 との混合ガスによりタングステン膜4cをエッチングすると、このエッチングによる形成されるタングステン膜4cの垂直な側壁には、窒化タングステン膜14が形成される。この窒化タングステン膜14がこのエッチングに対する保護膜となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜表面に高融点金属を主たる成分とする金属膜を形成し、該金属膜表面に所定のパターンを有するレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜をマスクにして、弗素系ガスと窒素ガスもしくはアンモニアガスとを含む混合ガスにより、前記金属膜をエッチングする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/3213

FI (2件)：

H01L 21/302 F , H01L 21/88 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭61-048924
特開昭60-065533
特開平2-034920

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